PRODUCT
产品中心
GaN射频功放管
GaN内匹配功放管
GaN MMIC
5G全集成功放模组
GNNT6044H
模式：连续波
GNNT4048H
模式：连续波
GNNT6051HP
模式：连续波
GNNT3054HP
模式：连续波
GNHT4043HP
模式：连续波
GNHT4047HP
模式：连续波
GNHT3055H
模式：连续波
GNHT1559H
模式：连续波
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GNNT2060-45M
2000MHz–6000MHz, 30W, 28V, GaN 射频功率放大器
GNNT2839-44M
2800MHz–3900MHz, 25W, 28V, GaN 射频功率放大器
GNNT3745-48M
3700MHz–4500MHz, 60W, 28V, GaN 射频功率放大器
GNNT4450-40M
3700MHz–4500MHz, 60W, 28V, GaN 射频功率放大器
GNNT2735-40M
3700MHz–4500MHz, 60W, 28V, GaN 射频功率放大器
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GNNT1765-45B
1.7GHz–6.5GHz, 30W, 28V, GaN射频功率放大器芯片
GNNT130170-42B
13GHz–17GHz 16W 28V GaN MMIC 功率放大器
GNNT60180-42B
1.7GHz–6.5GHz, 30W, 28V, GaN射频功率放大器芯片
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GNNM4945LA
35W, 28V, 4.4–5.0 GHz GaN PA Module
GNHM4949LN
80 W, 48 V, 4.8–5.0 GHz GaN PA Module
GNHM4948LS
60 W, 48 V, 4.4–5.0 GHz GaN PA Module
GNHM3549LN
80 W, 48 V, 3.3–3.6 GHz GaN PA Module
GNNM3542LN
15 W, 28 V, 3.3–3.6 GHz GaN PA Module
GNNM2642LE
15 W, 28 V, 2.5–2.7 GHz GaN PA Module
INTRODUCTION
公司简介
苏州优镓半导体科技有限公司（Gaxtrem Semiconductor Technology Ltd.）是一家氮化镓射频前端芯片供应商，致力于自主研发面向无线微波射频领域应用的氮化镓射频芯片，产品系列包括GaN射频功率管、GaN内匹配功放管、GaN MMIC和5G全集成功放模组，应用领域覆盖智能通讯、低空经济、多重应用市场等。
公司总部坐落于江苏省苏州市，包含多个独立实验室。公司技术团队和运营团队均在半导体行业领域深耕多年，其核心技术源自于清华大学，秉承技术创优的理念，基于GaN等先进工艺，研发出具有自主知识产权的高性能射频芯片，实现效率和线性度的协同优化，取得性能、成本、尺寸等全面提升，显著提升客户系统产品竞争力。公司在北京分设研发和销售团队，在深圳设办事处。
APPLICATION
应用领域
智能通信
氮化镓（GaN）射频功率器件作为第三代半导体核心器件，凭借高频、高功率密度、高效率、耐高温等卓越性能，成为新一代通信基础设施的关键支撑，广泛应用于卫星互联网通信与6G通信两大核心领域。
低空经济
氮化镓（GaN）射频功率器件作为第三代半导体核心器件，凭借高功率密度、高效率、宽频带等卓越特性，深度适配低空经济发展需求，在无人机反制与低空智能IoT互联两大核心场景中发挥关键支撑作用，助力低空经济安全高效发展。
多用途市场
氮化镓（GaN）射频功率器件作为第三代半导体核心器件，凭借高功率密度、高效率、宽频带等卓越特性，深度赋能多领域，在相控阵雷达与射频能量等领域发挥不可替代的支撑作用，助力产业技术突破与效能升级。
智能通信
低空经济
多用途市场
HONORS
荣誉资质
荣誉证书
发明专利
优镓科技(苏州)有限公司
GR202332017743
5G通信氮化镓功放芯片
HJICIE202009000005
苏民科企证
20230232052026081500796
基于G类功放架构的射频前端
ZL 2023 10168581.9
一种并联式差分功率放大器
ZL 2023 10138850.7
射频功率放人器的输入匹配电路和射频功率放人器
71. 2022 2 0496682.X
基于低Q输出网络的宽带集成Doherty功率放大器
ZL 2020 1 0427902.9
基于低Q输出网络的宽带集成Doherty功率放大器
ZL 2020 1 0427902.9
一种集成双频Doherty功率放大器、基站和移动终端
ZL 2020 1 0392270.7
一种功率放大器模组和射频功率放大器
ZL 2022 2 3302208.8
基于后匹配架构的射频前端、射频电路和芯片
ZL 2023 1 0153682.9
基于耦合线的射频前端
ZL202410919446.8
一种深回退区间Doherty功率放大器
ZL202310921242.3
基于G类功放架构的射频前端
ZL202310168581.9
一种氮化镓射频开关结构和通信基站
ZL202211444138.1
一种氮化镓射频开关结构和通信基站
ZL202211444138.1
一种氮化镓射频开关结构和通信基站
ZL202211444138.1
一种功率放大器模组和射频功率放大器
ZL 2022 2 3302208.8
射频功率放大器的输入匹配电路和射频功率放大器:
ZL 2022 2 0496682.X
一种基于相位失配的线性度增强Dohcrty功率放大器
ZL.2021 1 0985061.8
基于白适应偏置的Dohcrty功率放大器
Z1.2022 1 0180628.9
一种氮化镓射频开关结构和通信基站
ZL 2022 1 1444138.1
一种深回退区间Doherty功率放大器
ZL 2023 10921242.3
基于SLCC的宽带芯片电容器、集成电路芯片及功率放大器
ZL 2023 2 1526050.4
基于G类功放架构的射频前端
ZL 2023 10168581.9
一种并联式差分功率放大器
ZL 2023 10138850.7
射频功率放人器的输入匹配电路和射频功率放人器
71. 2022 2 0496682.X
基于低Q输出网络的宽带集成Doherty功率放大器
ZL 2020 1 0427902.9
基于低Q输出网络的宽带集成Doherty功率放大器
ZL 2020 1 0427902.9
一种集成双频Doherty功率放大器、基站和移动终端
ZL 2020 1 0392270.7
一种功率放大器模组和射频功率放大器
ZL 2022 2 3302208.8
基于后匹配架构的射频前端、射频电路和芯片
ZL 2023 1 0153682.9
基于耦合线的射频前端
ZL202410919446.8
一种深回退区间Doherty功率放大器
ZL202310921242.3
基于G类功放架构的射频前端
ZL202310168581.9
一种氮化镓射频开关结构和通信基站
ZL202211444138.1
一种氮化镓射频开关结构和通信基站
ZL202211444138.1
一种氮化镓射频开关结构和通信基站
ZL202211444138.1
一种功率放大器模组和射频功率放大器
ZL 2022 2 3302208.8
射频功率放大器的输入匹配电路和射频功率放大器:
ZL 2022 2 0496682.X
一种基于相位失配的线性度增强Dohcrty功率放大器
ZL.2021 1 0985061.8
基于白适应偏置的Dohcrty功率放大器
Z1.2022 1 0180628.9
一种氮化镓射频开关结构和通信基站
ZL 2022 1 1444138.1
一种深回退区间Doherty功率放大器
ZL 2023 10921242.3
基于SLCC的宽带芯片电容器、集成电路芯片及功率放大器
ZL 2023 2 1526050.4
progress
发展历程
2019年
公司成立；完成天使轮融资
2020年
首颗产品tape out；完成Pre-A轮融资
2021年
苏州公司成立；完成ISO9001认证；完成A轮融资
2022年
通信应用产品实现批量出货；完成GJB9001认证，完成A+轮融资
2023年
无人机反制应用产品实现批量出货；获评姑苏创新创业领军人才
2024年
打破瓶颈，赋能低空智能物联
2025年
获评中国电子学会科学技术奖科技进步一等奖；完成A++轮融资